ВЗАМОДЕЙСТВИЕ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ Ni И Cu НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРЕМНЫЕВЫХ ДАТЧИКОВ
https://doi.org/10.5281/zenodo.17243208
Keywords:
кремний, химическое осаждение, диффузия никеля, удельное сопротивление, термообработка, тензодатчики, дефект, методAbstract
Определены проводимость и время жизни неравновесных носителей заряда примеси никеля в тензодатчиках из монокристаллического кремния. Установлен оптимальный режим протекания процесса диффузии. Показано, что генерация термодоноров подавляется взаимодействием примесей никеля и кислорода, вводимых при 500оС, и доказано это взаимодействие не влияет на образование высокотемпературных термодоноров, образующихся при 700°С.
Downloads
References
Насриддинов С.С., Маннанов М.И., Соатов А.Қ., Ибодуллаев Ш.Н. Cu атомлари билан легирланган кремний асосида терморезисторлар яратишнинг физик ва технологик имкониятлари. ФарПИ илмий-техник журнали. 2022 й. Том 26 №1, 22-26 бетлар.
Nasriddinov S.S., Esbergenov D.M. Kinetics of formation of complex defects in silicon doped with zinc and nickel. European Science Review Scientific journal № 1–2 2022 (January – February) 40-45.
Насриддинов С.С., Маннанов М.И., Есбергенов Д.М., Турсунметова З.А. Термоанемометрический резистор на основе кремния, легированного медью. НТЖ ФерПИ. 2022. Т.26. В.3.
Nasriddinov S.S., Khamrakulov A.K., Turaev M.R., Normuratov K.T., Saidova F.S. The effect of the cooling rate on the electrophysical properties of silicon load cells. SCIENCE AND WORLD International scientific journal № 3 (127), 2024.
Downloads
Published
Conference Proceedings Volume
Section
License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
